Реактивы

ИНДИЯ ОКСИД (III)

индий окись(III); Индий оксид(III)

Indium(III) oxide

 ???
CAS номер: 1312-43-2
Молекулярная формула In2O3
Условия эксплуатации 24/25
Риск при использовании
Знаки особого риска:
Молекулярный вес: tпл °C: tкип °C: d204 Растворимость в воде, гр/100мл, при 20°C: Растворимость в других растворителях

277,63

~2000

3300

7,18

не растворим


Общая характеристика:

Индия оксид - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы.
Индия оксид  полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости.
Индия оксид  при нагр. легко взаимод. с минер. кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, напр. NaInO2. Получают индия оксид прокаливанием нитрата или гидроксида индия, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др.
Индия оксид основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал.